Normal CAP TVS
Wafer NO.
Type
DIE Size(um)
Scribe lane
Wafer size(inch)
GDPW
Top Metal
PAD Open
Wafer thickness
Back side metal
Operating Voltage
VBR(1mA)
CAP(L-G)
IPP(L-G)
Vc(Max)(L-G)
芯片名称
类型
单科芯片大小
划片槽
芯片尺寸
数量/片
顶层金属
焊盘尺寸
减薄厚度
背面金属
工作电压
击穿电压
电容
电流(8/20)
箝位电压
-
TX301A双向/单通道/小功率215*2154063500004um ALSICUø120μm150umTiNiAg5V5.6-9.5V7pF4A15V
-
TX127A双向/单通道/小功率200*2004087000004um ALSICUø120μm150umTiNiAg4.5V5-7V15pF6A9V
-
TX126A双向/单通道/小功率200*2004087000004um ALSICUø120μm150umTiNiAg5V6.5-8V15pF6A12V
-
TX124A双向/单通道/小功率200*2004087000004um ALSICUø120μm150umTiNiAg5V6.5-8V5pF5A14V
-
TX123B双向/单通道/小功率220*2204086000004um ALSICUø140μm140umTiNiAg3.3V4-7V18pF8A9V
-
TX122B双向/单通道/小功率220*2204086000004um ALSICUø140μm140umTiNiAg4.5V5.1-8V18pF8A10V
-
TX121B双向/单通道/小功率220*2204086000004um ALSICUø140μm140umTiNiAg5V7-9V18pF8A12V