Low CAP TVS
Wafer NO.
Type
DIE Size（um）
Scribe lane
Wafer size(inch)
GDPW
Top Metal
PAD Open
Wafer thickness
Back side metal
Operating Voltage
VBR（1mA）
CAP(L-G)
IPP(L-G)
Vc(Max)(L-G)
芯片名称
类型
单科芯片大小
划片槽
芯片尺寸
数量/片
顶层金属
焊盘尺寸
减薄厚度
背面金属
工作电压
击穿电压
电容
电流（8/20）
箝位电压
-
TX118A双向/单通道/低容210*2105063570004um ALSICU75*75μm150umTiNiAg5V6.5-9V0.8pF2A15V
-
TX101A单向/四通道/低容440*3675061000004um ALSICU75*75μm150umTiNiAg5V6.5-9V0.6pF5A/8A13/13V
-
TX100A单向/四通道/低容360*3605061240004um ALSICU75*75μm150umTiNiAg5V6.5-9.5V0.6pF4.5A/17A14/16V
-
TX088A单向/单通道/低容210*2105063570004um ALSICU75*75μm150umTiNiAg5V6.5-9V0.5pF4A25V
